SAMSUNG MICRO SD T9 512GB (MB-MH512T/WW) 130MBS-200MBS/10 AÑOS/(Q3"26)

SAMSUNG MICRO SD T9 512GB (MB-MH512T/WW) 130MBS-200MBS/10 AÑOS/(Q3"26)

Samsung MB-MH512T/WW. Tipo de tarjeta flash: MicroSDXC, Tipo de memoria interna: UHS-I, Velocidad de lectura: 200 MB/s, Velocidad de escritura: 130 MB/s, Clase de velocidad UHS: Class 3 (U3), Clase de velocidad de vídeo: V30

- Application performance class: A2
- Clase de velocidad de vídeo: V30
- Clase de velocidad UHS: Class 3 (U3)
- Tipo de memoria interna: UHS-I
- Velocidad de escritura: 130 MB/s
- Velocidad de lectura: 200 MB/s
- Tipo de tarjeta flash: MicroSDXC
- Altura: 11 mm
- Profundidad: 1 mm
- Ancho: 15 mm
- Voltaje de memoria: 2.7,3.6 V
- Intervalo de temperatura operativa: -25 - 85 °C
- Voltaje: 2.7~3.6V
- Compliance certificates: Comisión Federal de Comunicaciones (FCC) de Estados Unidos, CE, VCCI, RCM, UKCA
- Productos compatibles: Mobile phone, Tablet, Action Camera, 360° Camera, Drone, Laptop, Gaming console, etc.
- Tiempo medio entre fallos: 10000 h




- Application performance class: A2
- Clase de velocidad de vídeo: V30
- Clase de velocidad UHS: Class 3 (U3)
- Tipo de memoria interna: UHS-I
- Velocidad de escritura: 130 MB/s
- Velocidad de lectura: 200 MB/s
- Tipo de tarjeta flash: MicroSDXC
- Altura: 11 mm
- Profundidad: 1 mm
- Ancho: 15 mm
- Voltaje de memoria: 2.7,3.6 V
- Intervalo de temperatura operativa: -25 - 85 °C
- Voltaje: 2.7~3.6V
- Compliance certificates: Comisión Federal de Comunicaciones (FCC) de Estados Unidos, CE, VCCI, RCM, UKCA
- Productos compatibles: Mobile phone, Tablet, Action Camera, 360° Camera, Drone, Laptop, Gaming console, etc.
- Tiempo medio entre fallos: 10000 h